Jest to pierwsza książka, która dokładnie opisuje wiele aspektów dopingu w złożonych półprzewodnikach. Równy nacisk kładzie się na podstawową fizykę materiałów i technologiczne aspekty dopingu. Autor opisuje szczegółowo wszystkie różne techniki, w tym doping podczas wzrostu epitaksjalnego, doping przez implantację i doping przez dyfuzję. Omówiono kluczowe cechy wszystkich domieszek, które zostały zastosowane w półprzewodnikach IIIâV. Ponadto analizowane są ogólne cechy domieszek, w tym aktywność elektryczna, nasycenie, amfateryczność, autokompensacja i maksymalne osiągalne stężenie domieszek. Omówiono również aktualny temat wysoce domieszkowanych półprzewodników. Podsumowano ważne technologicznie głębokie poziomy. Właściwości głębokich poziomów przedstawiono fenomenologicznie. Ostatni rozdział poświęcony jest eksperymentalnej charakterystyce zanieczyszczeń. Język: angielski